蘇美達(dá)國際技術(shù)貿(mào)易 對下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國際公開競爭性招標(biāo)，于2024-04-29在公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。1、招標(biāo)條件項(xiàng)目概況:設(shè)備名稱：低應(yīng)力氮化硅生長爐、原位摻雜多晶硅生長爐設(shè)備數(shù)量：設(shè)備1 原位摻雜多晶硅生長爐（1臺）：包含低應(yīng)力多晶硅/多晶硅/原位摻雜多晶硅工藝模塊和TEOS工藝模塊；設(shè)備2 低應(yīng)力氮化硅生長爐（1臺）：包含低應(yīng)力氮化硅工藝模塊和氮化硅工藝模塊。設(shè)備用途：用于生長低應(yīng)力氮化硅/原位摻雜多晶硅/低應(yīng)力多晶硅/多晶硅/TEOS薄膜。資金到位或資金來源落實(shí)情況:已到位項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說明:已具備2、招標(biāo)內(nèi)容招標(biāo)項(xiàng)目編號:0664-2440SUMECF28/06招標(biāo)項(xiàng)目名稱:8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線之低應(yīng)力氮化硅生長爐和原位摻雜多晶硅生長爐項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國安徽省招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):

序號	產(chǎn)品名稱	數(shù)量	簡要技術(shù)規(guī)格	備注
1	低應(yīng)力氮化硅生長爐	1	薄膜應(yīng)力范圍 -40~＋40MPa (4μm Poly退火后，應(yīng)力可調(diào))。其他參數(shù)詳見第八章	無
2	原位摻雜多晶硅生長爐	1	應(yīng)力范圍 -100~0MPa，應(yīng)力可調(diào)。其他參數(shù)詳見第八章	無

3、投標(biāo)人資格要求投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:①　投標(biāo)人如為境內(nèi)企業(yè)，提供企業(yè)法人營業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書，如為境外企業(yè)提供企業(yè)注冊登記證。②　投標(biāo)人可以是設(shè)備制造廠家，也可以是設(shè)備授權(quán)代理商，代理商需有設(shè)備原廠家的有效授權(quán)書。③　投標(biāo)人開戶行開具的，出具日期在開標(biāo)前三個(gè)月內(nèi)的資信證明原件或該原件的復(fù)印件。④　投標(biāo)人需要具有履行合同所必需的設(shè)備技術(shù)支持和服務(wù)能力（提供承諾書，格式自理）。⑤　單位負(fù)責(zé)人授權(quán)書原件。是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受未領(lǐng)購招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以4、
未曾在中國電力招標(biāo)采購網(wǎng)（）上注冊會員的單位應(yīng)先注冊。登錄成功后根據(jù)招標(biāo)公告的相說明下載投標(biāo)文件！

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