各投標人：
現(xiàn)將本項目補遺文件（一）發(fā)布如下：
1、本項目招標文件第八章“二、技術(shù)規(guī)格”中“二、設(shè)名稱、型號、規(guī)格及數(shù)量”第“4總體配置：
* 設(shè)備狀態(tài)為全新全自動化設(shè)備，適用于200mm notch wafer的batch式爐管
* 設(shè)備自帶SMIF裝置
* 適用于SMIF-RFID式的圓片傳送識別裝置
* 設(shè)備滿足甲方三相208V/380V或單相100V/120V/220V的供電要求
* 設(shè)備支持標準的SECS/GEM通訊協(xié)議，并支持與MES連接
* 系統(tǒng)要有軟硬盤存儲數(shù)據(jù)功能，工作電腦需配備雙硬盤實時備份并提供系統(tǒng)備份”
修改為：
“4.總體配置：
* 設(shè)備狀態(tài)為全新全自動化設(shè)備，適用于200mm notch wafer的batch式爐管
* 設(shè)備自帶SMIF/Loadport裝置
* 適用于SMIF-RFID式的圓片傳送識別裝置
* 設(shè)備滿足甲方三相208V/380V或單相100V/120V/220V的供電要求
* 設(shè)備支持標準的SECS/GEM通訊協(xié)議，并支持與MES連接
* 系統(tǒng)要有軟硬盤存儲數(shù)據(jù)功能，工作電腦需配備雙硬盤實時備份并提供系統(tǒng)備份
* 隨設(shè)備配置一套8吋工藝需要的石英及熱電偶
* 隨設(shè)備配置一套設(shè)備保養(yǎng)所需的治具”
2、本項目招標文件第八章“二、技術(shù)規(guī)格”中“三、設(shè)備技術(shù)指標
PI Curing爐要求能夠達到如下性能指標：
1) *適用200mm notch晶圓工藝，可cover晶圓厚度400~2000um
2) *支持wafer翹曲度≤±3mm
3) *溫度控制精度：±1℃（150℃~600℃）
4) *溫度均勻性（wafer to wafer，within wafer） ±1.5℃(150℃~600℃)
5) *Process chamber含氧量控制：≤10ppm
6) *需配備Gas管路: O2，N2
7) *Batch size ≥75片
8) *MTBF大于250小時，uptime ≥90%
9) *Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs
10) *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等。
11) *顆?？刂?lt;20 @0.5um
12) *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等
13) *Boat可旋轉(zhuǎn)
14) *設(shè)備在先進封裝領(lǐng)域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝）具有量產(chǎn)經(jīng)驗，裝機量≥2臺
15) 具備快速降溫能力”
修改為：
三、設(shè)備技術(shù)指標
PI Curing爐要求能夠達到如下性能指標：
1）*適用200mm notch晶圓工藝，可cover晶圓厚度400~2000um
2）*支持wafer翹曲度≤±3mm
3）*溫度控制精度：±1℃（150℃~600℃）
4）*Process chamber含氧量控制：≤10ppm
5）*需配備Gas管路: O2，N2
6）*Batch size ≥75片
7）*MTBF大于250小時，uptime ≥90%
8）*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs
9) *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等。
10) *顆?？刂?lt;20 @0.5um
11) *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等
12) *設(shè)備在先進封裝領(lǐng)域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝）具有量產(chǎn)經(jīng)驗，裝機量≥2臺
13) 具備快速降溫能力
3、投標文件的遞交時間修改為：
投標截止時間（開標時間）：2024年 5 月 16 日14：00 分,投標文件遞交時間：2024年 5月 16 日13 ：30分－2024年 5 月 16 日14 ：00 分。
已發(fā)出的招標文件與本補遺文件（一）有沖突的地方，以本補遺文件（一）為準。
招標人：聯(lián)合微電子中心有限責任公司
招標代理機構(gòu)：中國遠東國際招標有限公司
聯(lián)系人：王靜
電話： 18680888091
2024年4月30日
