高端化合物半導體材料及芯片產業(yè)化項目外立面幕墻施工圖設計咨詢及送審(二次)，項目資金 已落實，項目已具備招標條件，現(xiàn)對該項目進行公開招標。本次招標采用資格 后審。
2. 項目概況與招標范圍
2.1 項目概況:高端化合物半導體材料及芯片產業(yè)化項目位于東湖高新區(qū)綜合保稅區(qū)，總投資約25億元，總建 筑面積約23萬平方米，外立面工程量為32200平方米，包含12#試驗廠房、13#生產調度廠房、14#服務中心的方案 設計咨詢及估算、初步設計及概算、施工圖設計和施工階段配合服務及幕墻施工圖送審。
2.2 項目建設地點：湖北省武漢市東湖高新區(qū)綜合保稅區(qū)高新六路以南
2.3 標段劃分：本項目劃分為：1個標段
2.5 標段名稱：外立面幕墻施工圖設計咨詢及送審(二次)
2.5.1 招標范圍：高端化合物半導體材料及芯片產業(yè)化項目位于東湖高新區(qū)綜合保稅區(qū)，總投資約25億元
,總建筑面積約23萬平方米，外立面工程量為32200平方米，包含12#試驗廠房、13#生產調度廠房、14#服務中心
的方案設計咨詢及估算、初步設計及概算、施工圖設計和施工階段配合服務及幕墻施工圖送審。
2.5.2 工期/服務期/交貨期：120天，工期說明：自合同簽訂生效后120日歷天內完成
3. 投標人資格要求
3.1 外立面幕墻施工圖設計咨詢及送審(二次)
（1）投標人基本要求：1.幕墻設計經(jīng)驗豐富，處理復雜造型樣式能力強，結構概念清晰，與主體結構配合好 ; 2.熟悉各種材質特點，合理選材，成本能得到合理控制； 3.有經(jīng)驗設計人員的人力充足，可及時交付合格圖 紙； 4.有工地處理的經(jīng)驗，可以及時解決現(xiàn)場施工過程中的問題。
（2）投標人資質要求：建筑幕墻工程設計專項乙級資質。
（3）投標人業(yè)績要求：滿足地上建筑面積超5萬平方米辦公樓或產業(yè)園3個。
（4）投標人擬投入本項目的項目負責人最低要求：項目負責人相關專業(yè)為中級職稱。
（5）投標人其他要求：1.公司注冊資金不低于100萬元整； 2.誠信要求：投標人須書面承諾不存在下列情形 ,否則投標將被拒絕：因不良行為被項目所在地政府主管部門禁止投標或施工禁入的；與招標人有合同糾紛，或 被索賠過的；被工商行政管理機關在“國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)”網(wǎng)站（www.gsxt.gov.cn）中列入嚴重違法失 信企業(yè)名單；被最高人民法院在“信用中國”網(wǎng)站（www.creditchina.gov.cn）或各級信用信息共享平臺中列入
失信被執(zhí)行人名單；其他法律法規(guī)規(guī)定禁止投標的情形。
（6）是否接受聯(lián)合體投標：否
（7）聯(lián)合體要求：
4. 招標文件的獲取
凡有意參加投標者，請于2024-10-17 16:30:00時至2024-10-22 16:30:00時
購買招標文件的投標人,請聯(lián)系辦理供應商會員事宜，未在中國電力招標采購網(wǎng)（）上注冊會員的單位應先點擊注冊。成為正式供應商后根據(jù)招標公告的相應說明在線完成招標文件的購買!為保證您能夠順利投標，具體要求及購買標書操作流程以公告詳細內容為準!
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